產(chǎn)品介紹

SS6208集成了一個(gè)單相MOSFET驅(qū)動(dòng)器，高側(cè)MOSFET和低側(cè)MOSFET到一個(gè)3mm*3mm8引腳DFN包。與離散組件解決方案相比，SS6208集成解決方案大大減少了封裝寄生效應(yīng)和板空間。

驅(qū)動(dòng)程序和mosfet已經(jīng)為半橋應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。通過(guò)一個(gè)較寬的工作電壓范圍，可以優(yōu)化高側(cè)或低側(cè)MOSFET柵極的驅(qū)動(dòng)器電壓，以達(dá)到最佳的效率。內(nèi)部自適應(yīng)非重疊電路通過(guò)防止兩個(gè)mosfet的同時(shí)傳導(dǎo)，進(jìn)一步減少了開(kāi)關(guān)損耗。

當(dāng)VCC低于規(guī)定的閾值電壓時(shí)，UVLO電路可以防止發(fā)生故障。為待機(jī)模式設(shè)計(jì)的PIN EN可使芯片進(jìn)入低靜止電流狀態(tài)，電池壽命長(zhǎng)。

一、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片 - SS6208的特性：

較大額定連續(xù)電流4A，峰值8A
引導(dǎo)式高側(cè)驅(qū)動(dòng)器
高/低側(cè)MOSFET集成
高頻操作（高達(dá)1MHz)
PWM輸入兼容3.3V和5V
內(nèi)部引導(dǎo)二極管
處于電壓鎖定狀態(tài)
內(nèi)部熱停機(jī)
適應(yīng)性保護(hù)
小包裝：DFN3*3，8個(gè)引腳
無(wú)鉛設(shè)備

二、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片 - SS6208的應(yīng)用：