中高壓MOS管 - MPD04N65
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650V, 4A, RDS (ON)(Max.)= 2.7Ω@VGS = 10V.
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100%雪崩測(cè)試
產(chǎn)品介紹
不同的封裝尺寸MOS管具有不同的熱阻和耗散功率，需要考慮系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度（如是否有風(fēng)冷、散熱器的形狀和大小限制、環(huán)境是否封閉等因素），基本原則就是：在保證功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOS管。
一、中高壓MOS管 -?MPD04N65的特性：
650V, 4A, RDS (ON)(Max.)= 2.7Ω@VGS = 10V.
低Crss
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二、中高壓MOS管 -?MPD04N65的應(yīng)用：
充電器
儲(chǔ)用功率
ISweek 工采網(wǎng)的所有產(chǎn)品均來(lái)自于原始生產(chǎn)廠商直接供貨，非第三方轉(zhuǎn)售。
